金属铟|金属铟|鑫融新材料

中文名称：氧化铟

英文名称：Indium(III) oxide

别名名称：三氧化二铟

更多别名：Indium trioxide

分 子 式：ln2O3

分 子 量：277.64

CAS号：1312-43-2

MDL号：MFCD00011060

EINECS号：215-193-9

RTECS号：NL1770000

PubChem号：24852170

 密度（g/mL，金属铟报价，25℃）：7.179

熔点（oC）：2000

蒸气压（mmHg，金属铟，25oC）：<0.01

溶解性：不溶于水，金属铟，溶于热的无机酸

锑化铟

中文名称：锑化铟（InSb）

分 子 量：236.578

英文名称: Indium antimonide

产品规格: 6N

制    备：锑和铟的化合物。金属锑和铟在高温熔合而得。具闪锌矿型结构的晶体。

产品用途：重要半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶， 可制成具有特殊性能的红外探测器件等。

锑化铟(InSb)是近年来引起人们较大兴趣并被广泛研究的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。 InSb和锗(Ge)、硅(Si)相比虽是一发现较晚的半导体材料，但制备高纯度InSb的工艺相对地比较简单，较容易获得其纯度比Ge、Si或其他Ⅲ-Ⅴ族半导性化合物高一、二个数量较的单晶体。