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氧化铟/三氧化二铟

中文名称：氧化铟

中文别名：三氧化二铟

英文别名：Indium oxide; Diindium trioxide; indium(+3) cation; oxygen(-2) anion; oxo-oxoindiganyloxy-indigane

纯度：4N-5N ，金属铟粉，99.99%-99.999%

分子式：In2O3

分子量：277.6342

CAS号：1312-43-2;12672-71-8

EINECS号：215-193-9;235-765-1

三氧化二铟属于铟的延伸产品，金属铟，广泛应用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂、低汞和无汞碱性电池的添加剂等。随着科学技术的不断发展，三氧化二铟在液晶显示尤其在ITO靶材方面的应用越来越广。

砷化铟

砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料

中文名：砷化铟

英文名：indium arsenide

化学式：InAs

分子量：189.7396

密    度：5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)

InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，有色金属铟，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。