高纯铟_铟_鑫融新材料

砷化铟

砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料

中文名：砷化铟

英文名：indium arsenide

化学式：InAs

分子量：189.7396

密    度：5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)

InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，铟价，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，铟，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。

铟丝：

铟作为耐磨轴承、牙科合金、钢铁 和有色金属的防腐装饰件、塑料金属化以及传统首饰纪念物的用途仍在继续增长。大约70%的铟是用于制 备IT()(铟锡氧化物)，它可制成透明电极，用于计算机和其他显示屏上，铟粉，尤其是LCD液晶显示器上， 这是ITO的较终端用户。平面显示器是人类与电子世界“交流”的“界面”，高纯铟，它大大促进了可移 动电子装置的发展，例如手机、掌上型电脑等。用于平板显示中的IT()膜对可见光透明、吸收紫外线、反 射红外光具有很好的耐蚀性以及环境和热稳定性。 铟的*二大应用领域是焊料，例如焊膏和低熔点(易熔)合金，这些材料又有多方面的应用。铟还用于 制作半导体材料，这种材料所制器件促进了高速数字网络的发展，从而能够处理日益增大的声音、影像和 数字传输容量。