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高纯铟锭

产品名称：高**属铟

外观：银白色

金属规格：500+/-50g每锭

分子式：In

电阻8.37 mΩ cm

熔点156.61℃

沸点2060℃

相对密度d7.30

CAS No.7440-74-6

EINECS No.231-180-0

纯度：99.999%，高纯铟，99.9999%，高纯铟粉，质量稳定，交货期短

铟主要用于低熔点合金、半导体、整流器、热敏电阻等。

锑化铟单晶(indium antimoningle crystal InSb)共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18eV，高纯铟锭，本征载流子浓度1.1×1022/m3，本征电阻率6×10-4Ω·m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。