稀有金属_鑫融新材料_稀有金属锗

    精铝经过区熔提纯，稀有金属bi，只能达到5 的高纯铝，但如使用在**物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种**纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。制备化合物半导体的金属如镓、铟、砷、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备****属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、汞、铂等也能达到≥6 的水平。

研究纳米晶金属间化合物的主要动机是探索改进金属间化合物的室温韧性的可能性。Bohn等首先提出纳米晶金属化合物几种潜在的优越性。其中包括提高强度和韧性。Haubold及合作者研究了IGC法制备的NiAl的力学性能，稀有金属，但**于单一样品在不同温度退火后的硬度测量。Smith通过球磨NiAl得到晶粒尺寸从微米级至纳米级的样品，进行了'微型盘弯曲试验'，稀有金属锗，观察到含碳量低的材料略表现出韧性，而含碳多的材料没有韧性。较近Choudry等用'双向盘弯曲试验'研究了纳米晶NiAl，发现晶粒小于10nm时，稀有金属镓，屈服强度高干粗晶NiAl，且在室温下有韧性，对形变的贡献主要源于由扩散控制的晶界滑移。室温压缩实验显示由球磨粉末固结成的纳米晶Fe-28Al-2Cr具有良好的塑性(真应变大于1.4)，且屈服强度高(是粗晶的1O倍)。测量TiAl(平均晶粒尺寸约10nm)的压缩蠕变(高温下测量硬度随着恒载荷加载时间的变化)表明，在起始的快速蠕变之后，*二阶段蠕变非常缓慢，这意味着发生了扩散控制的形变过程。低温时(低于扩散蠕变开始温度)，纳米晶的硬度变化很小。观察到的硬度随着温度升高而下降，原因之一是压头载荷使样品进一步致密化，而主要是因为材料流变加快。Mishra等报道，在750～950°C，10-5～10-3s-1的应? 渌俾史段В擅拙i-47.5Al-3Cr(g-TiAl)合金的形变应力指数约为6，说明其形变机制为攀移位错控制。