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    精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，高纯碲，但如使用在**物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，高纯碲制备，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种**纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。制备化合物半导体的金属如镓、铟、砷、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备****属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、汞、铂等也能达到≥6 的水平。

导电性：伴随着机械性能的显著变化，高纯碲品牌，纳米金属材料的金属纳米线的电学性能也相对于体材料有着明显的变化。纳米金属材料的金属纳米线的导电性预期将远远小于体材料。其原因是当纳米金属材料的金属纳米线的横截面尺寸小于体材料的平均自由程的时候，载流子在边界上的散射效应将会突显出来。电阻率将会收到边界效应的严重影响。纳米金属材料的金属纳米线的表面原子并不像在体材料中的原子一样能够被充分的键合，高纯碲行情，这些没有被充分键合的表面原子则常常成为纳米金属材料的金属纳米线中缺陷的来源，从而使得电子不能顺利地通过，使得纳米金属材料的金属纳米线的导电能力低于体材料。