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方法分析

半导体中的电离杂质浓度可以通过霍尔系数测定，对于非本征半导体材料，高纯碲采购，在补偿度不大的情况下，高纯碲报价，只要知道迁移率的数据，高纯碲，就可通过电阻率的测量，高纯碲批发，决定杂质的浓度，

高**属铝中杂质，已低于化学分析和仪器分析灵敏度的**，须用物理方法测定，可用剩余电阻率(ρ4.2K/ρ300K)来测定铝的纯度，因为在4.2K下，点阵中原子振动所引起的电阻率可以忽略，这样测出的电阻率就是杂质引起的电阻率，各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率

原子的扩散行为

　　原子扩散行为影响材料的许多性能，诸如蠕变、**塑性、电性能和烧结性等。纳米晶Co的自扩散系数比Cu的体扩散系数大14～16个量级，比Cu的晶界自扩散系数大3个量级。Wurshum等较近的工作表明：Fe在纳米晶N中的扩散系数远低于早期报道的结果。纳米晶Pd的界面扩散数据类似于普通的晶界扩散，这很可能是由于纳米粒子固结成的块状试样中的残留疏松的影响。他们还报道了Fe在非晶FeSiBNbCu(Finemete)晶化形成的复相纳米合金(由Fe3Si纳米金属间化合物和晶间的非晶相构成)中的扩散要比在非晶合金中快10～14倍，这是由于存在过剩的热平衡空位。Fe在Fe-Si纳米晶中的扩散由空位调节控制。